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[인터뷰] “중국 메모리 굴기? D램 격차는 오히려 더 벌어질 것”

✍️ Jo He-Rim 📅 February 03, 2026 06:42 AM ⏱️ 7 min read 🕐 Scraped: February 04, 2026

Summary: [코리아헤럴드=조혜림 기자] “중국과 한국 메모리 업체 간 격차는 D램에서 5년 이상, 낸드는 2~3년 차이가 난다고 봅니다. 특히 D램은 격차가 더 벌어질 가능성이 큽니다.” 중국의 메모리 반도체 굴기가 한국 반도체 산업을 위협하고 있다는 경고가 잇따르는 가운데, 심대용 동아대 전기공

'HBM 아버지' 심대용 동아대 전자공학과 교수 "중국, EUV 없인 1b 이후 막다른 길" "진짜 격차는 빅테크 협업 경험, 문제 해결 역량"

[코리아헤럴드=조혜림 기자] “중국과 한국 메모리 업체 간 격차는 D램에서 5년 이상, 낸드는 2~3년 차이가 난다고 봅니다. 특히 D램은 격차가 더 벌어질 가능성이 큽니다.”

중국의 메모리 반도체 굴기가 한국 반도체 산업을 위협하고 있다는 경고가 잇따르는 가운데, 심대용 동아대 전기공학과 교수는 최근 코리아헤럴드와의 인터뷰에서 "중국과의 기술 격차는 줄어들기 보다 오히려 벌어질 수 있다"고 말했다.

심 교수는 SK하이닉스에서 26년간 D램 핵심 기술과 고대역폭메모리(HBM) 초기 개발을 이끌었고, 2021년 부사장으로 회사를 떠나 학계로 자리를 옮겼다.

그는 “중국의 진전은 외부에서 보면 위협적인 뉴스로 보이지만, 업계 내부에서는 훨씬 더 냉정하게 평가하고 있다”고 했다.

“EUV 없는 1b 이후는 사실상 막다른 길”

심 교수가 지목한 중국의 구조적인 한계는 극자외선(EUV) 노광 장비 부재다. DRAM 공정은 통상 1x·1y·1z(20나노미터 이하)에서 1a·1b·1c(10나노미터급)로 진화한다.

심 교수는 “EUV없이 멀티 패터닝으로 1a까지는 버틸 수 있다. 실제로 마이크론도 그런 방식으로 양산에 성공했다"다"면서도 "하지만 1b부터는 EUV 없이는 사실상 불가능하다”고 말했다.

미국 주도의 수출 통제로 중국은 2019년 이후 네덜란드 ASML의 EUV 장비에 접근하지 못하고 있다. 이런 제약 속에서 중국 창신메모리(CXMT)가 지난해 11월 DDR5 양산에 돌입했다고 발표했지만, 해당 제품 역시 1a 공정 기반으로 추정된다. 칩 크기도 삼성전자와 SK하이닉스가 2021년 전후 출시했던 초기 DDR5 제품과 유사한 수준으로 알려졌다.

수율도 문제다. 업계에서는 CXMT의 DDR5 수율을 약 50% 수준으로 추정하는데, 상업적으로 의미 있는 가격 경쟁력을 확보하려면 최소 80~90%는 돼야 한다.

심 교수는 중국이 미세화 경쟁에서 한계를 느낄 경우 3D 적층 기술을 통해 우회로를 모색할 수는 있다고 봤다.

그는 “중국이 3D 스태킹(stacking) 기술로 기술격차를 메우는 전략을 택할 수 있다”며 “EUV 노광장비 없이 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론을 따라올 수 있는 사실상 유일한 선택지”라고 말했다.

다만 그는 “문제는 3D 적층 기술이 결코 단순한 공정 문제가 아니

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February 03, 2026 at 06:42 AM

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